Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

UMH11WNTR

NPN+NPN kép, 50V 100mA, SOT-363, Transistor số

UMH11WN là transistor số kép, tích hợp hai transistor NPN DTC114EU3 trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ.

UMH11WNTR, UMT6

Thông số

Mã nhà sản xuất
UMH11WNTR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UMT6
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
UMH11WN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
SOT-363
Vỏ JEITA
SC-88
Số chân
6
Cực tính
NPN+NPN
Điện áp nguồn VCC 1 [V]
50
Dòng collector Io (Ic) [A]
0.1
Điện trở đầu vào R1 1 [kΩ]
10
Điện trở emitter-base R2 1 [kΩ]
10
Điện áp nguồn VCC 2 [V]
50
Dòng collector IC 2 [A]
0.1
Điện trở đầu vào R1 2 [kΩ]
10
Điện trở emitter-base R2 2 [kΩ]
10
Công suất tiêu tán (PD) [W]
0.15
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Tương đương (linh kiện đơn)
DTC114EU3 / DTC114EU3
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.1x2.0 (t=1.0)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Transistor lưỡng cực BJT
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Loại transistor (Transistor Type)NPN
Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max))100mA
Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max))50 V

Thông tin chi tiết

UMH11WN là transistor số kép, tích hợp hai transistor NPN DTC114EU3 trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Hai phần tử transistor độc lập với nhau, và việc tích hợp hai transistor trong một vỏ giúp giảm chi phí lắp đặt và diện tích bo mạch. Phù hợp cho các ứng dụng inverter, giao tiếp (interface) và driver.

Tính năng chính

  • Cả chip DTA124EU3 và chip DTC124EU3 trong một đóng gói EMT hoặc UMT hoặc SMT.
  • Có thể lắp bằng máy gắp đặt tự động EMT3, UMT3 hoặc SMT3.
  • Các phần tử transistor độc lập với nhau, loại bỏ nhiễu chéo.
  • Chi phí lắp đặt và diện tích có thể giảm một nửa.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
UMH1NFHATN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH1NTN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH25NFHATN

ROHM SemiconductorTransistor số NPN 100mA 50V. Điện trở phân cực tích hợp cho phép tạo mạch đảo (inverter) mà không cần điện trở đầu vào bên ngoài.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH25NTN

ROHM SemiconductorTransistor số NPN 100mA 50V. Điện trở phân cực tích hợp cho phép tạo mạch đảo (inverter) mà không cần điện trở đầu vào bên ngoài.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH2NFHATN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH2NTN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH33NTN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMH37NTN

ROHM SemiconductorUMH37N là transistor số dùng cho muting, tích hợp hai chip DTC914TUB trong đóng gói SOT-363.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá