Transistor lưỡng cực BJT (Transistors - Bipolar, BJT - Single)
3.399 mã linh kiện
3.399 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Loại transistor | Dòng collector tối đa (Ic) | Điện áp C-E tối đa (Vceo) | Công suất tối đa | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2945AUB Microchip20V 100mA 400 mW Round-End Small-Signal BJT Dòng collector tối đa (Ic): 100mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 20 V,Công suất tối đa: 400 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 100mA | 20 V | 400 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JAN2N2945AUB/TR Microchip20V 100mA 400 mW Round-End Small-Signal BJT TR Dòng collector tối đa (Ic): 100mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 20 V,Công suất tối đa: 400 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 100mA | 20 V | 400 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JAN2N2946A Microchip35V 200mA 400mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 200mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 35 V,Công suất tối đa: 400 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 200mA | 35 V | 400 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3019 Microchip80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3019A Microchip80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3019S Microchip80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3057A Microchip80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 500 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3439 Microchip350V 1A 800mW Power BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 350 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 350 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3439L Microchip350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 350 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 350 V | 800 mW | — | — | — | ||
| JAN2N3439P Microchip350V 1A 800mW PinD Test Power BJT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 350 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 350 V | 800 mW | — | — | — | ||
| JAN2N3439UA Microchip350V 1A 800mW Power BJT SMT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 350 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 350 V | 800 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JAN2N3440 Microchip250V 1A 800mW Power BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 250 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 250 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3440L Microchip250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 250 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 250 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3440UA Microchip250V 1A 800mW Power BJT SMT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 250 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 250 V | 800 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JAN2N3441 Microchip140V 3A 3W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 3A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 140 V,Công suất tối đa: 3 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 3A | 140 V | 3 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3442 Microchip140V 10A 6W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 10A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 140 V,Công suất tối đa: 6 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 10A | 140 V | 6 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3485A Microchip60V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 600mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 400 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 600mA | 60 V | 400 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3486A Microchip60V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 600mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 400 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 600mA | 60 V | 400 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3498 Microchip100V 500mA 1W NPN Small-Signal BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | — | ||
| JAN2N3498L Microchip100V 500mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3498UB Microchip100V 500mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | — | ||
| JAN2N3498UB/TR Microchip100V 500mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT TR Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | — | ||
| JAN2N3499 Microchip100V 500mA 1W NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N3499L Microchip100V 500mA 1W NPN Lond-Lead Small-Signal BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | — | ||
| JAN2N3499UB Microchip100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 100 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 100 V | 1 W | — | — | — |