Transistor lưỡng cực BJT (Transistors - Bipolar, BJT - Single)
3.399 mã linh kiện
3.399 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Loại transistor | Dòng collector tối đa (Ic) | Điện áp C-E tối đa (Vceo) | Công suất tối đa | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HS2907ATX/TR MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| JAN2N1479 Microchip40V 1.5A 1W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 1.5A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 1.5A | 40 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1480 Microchip55V 1.5A 1W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 1.5A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 55 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 1.5A | 55 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1481 Microchip40V 1.5A 1W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 1.5A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 1.5A | 40 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1482 Microchip55V 1.5A 1W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 1.5A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 55 V,Công suất tối đa: 1 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 1.5A | 55 V | 1 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1483 Microchip40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 3A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 1.75 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 3A | 40 V | 1.75 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1484 Microchip55V 3A 1.75W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 3A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 55 V,Công suất tối đa: 1.75 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 3A | 55 V | 1.75 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1485 Microchip40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 3A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 1.75 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 3A | 40 V | 1.75 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1486 Microchip55V 3A 1.75W NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 3A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 55 V,Công suất tối đa: 1.75 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 3A | 55 V | 1.75 W | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1613 Microchip30V 500mA 800mW NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1613L Microchip30V 500mA 800mW NPN Long-Lead Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1711 Microchip75V 500mA 800mW NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 75 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 75 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1711S Microchip75V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 75 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 75 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1893 Microchip80V 500mA 800mW NPN Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N1893S Microchip80V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 500mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 500mA | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2218 Microchip30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2218A Microchip30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2218AL Microchip30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2219 Microchip30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2219A Microchip30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2219AL Microchip30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2219S Microchip30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 800mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 30 V,Công suất tối đa: 800 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 800mA | 30 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2221A Microchip50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 50 V,Công suất tối đa: 650 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 50 V | 650 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2221AL Microchip50V 800mA 650mW Long-Lead Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 50 V,Công suất tối đa: 650 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 50 V | 650 mW | — | — | Through Hole | ||
| JAN2N2221AUA Microchip50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 50 V,Công suất tối đa: 650 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 50 V | 650 mW | — | — | Surface Mount |