Transistor lưỡng cực BJT (Transistors - Bipolar, BJT - Single)
3.399 mã linh kiện
3.399 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Loại transistor | Dòng collector tối đa (Ic) | Điện áp C-E tối đa (Vceo) | Công suất tối đa | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3019E3 Microchip80V 1A 800mW Lead-Free Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3019P Microchip80V 1A 800mW PinD Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3019S Microchip80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3019SP Microchip80V 1A 800mW PinD Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 800 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 800 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3053 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N3054 MicrochipPower BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N3054A MicrochipPower BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N3057 Microchip80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 500 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3057A Microchip80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 1AĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 1A | 80 V | 500 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3250A Microchip60V 200mA 360mw PNP Small-Signal BJT THT Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 200mA | 60 V | 360 mW | — | — | Through Hole | ||
| 2N3250AUB Microchip60V 200mA 360mw PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 200mA | 60 V | 360 mW | — | — | — | ||
| 2N3250AUB/TR Microchip60V 200mA 360mw PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 200mA | 60 V | 360 mW | — | — | — | ||
| 2N327A MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N328A MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N329A MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N3302 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333A MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333ALT2 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333AT2 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333LT2 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N333T2 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N335 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N335A MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| 2N335ALT2 MicrochipSmall-Signal BJT | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — |