Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RV8L002SNHZGG2CR

Độ tin cậy lắp đặt vượt trội, DFN1010, MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N 60V 250mA cho ô tô

RV8L002SNHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV8L002SNHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt.

RV8L002SNHZGG2CR, DFN1010-3W (Wettable Flank)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RV8L002SNHZGG2CR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
DFN1010-3W (Wettable Flank)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RV8L002SNHZG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
8000
Mã vỏ
DFN1010-3W
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
60
Dòng drain ID [A]
0.25
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
3
RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
2.3
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
2.1
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
1.7
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Công suất tiêu tán (PD) [W]
1
Điện áp điều khiển (drive) [V]
2.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
1.0x1.0 (t=0.45)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))60 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)250mA
Cấp (Grade)Automotive
Tiêu chuẩn (Qualification)AEC-Q101

Thông tin chi tiết

RV8L002SNHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV8L002SNHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt. Công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền của ROHM mang lại chất lượng mối hàn ổn định ngay cả với sản phẩm loại điện cực dưới đáy. Giúp máy kiểm tra tự động dễ dàng xác nhận tình trạng mối hàn sau khi lắp. Cho phép thu nhỏ các linh kiện ô tô đòi hỏi chất lượng cao như ECU, module camera ADAS.

Tính năng chính

  • Vỏ nhựa SMD không chân (leadless) siêu nhỏ với pad drain hở để dẫn nhiệt tốt (1.0×1.0×0.4mm)
  • Side wettable Flank cho kiểm tra quang học tự động mối hàn (AOI). Pad bên mạ thiếc 100% có thể hàn, đảm bảo tối thiểu 125µm
  • Đạt chuẩn AEC-Q101
  • Bảo vệ ESD đến 2kV (HBM)
  • Chuyển mạch rất nhanh
  • Truyền động điện áp cực thấp (truyền động 2.5V)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự

Mã tương tự
RVQ040N05HZGTR

ROHM SemiconductorRVQ040N05HZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

TSMT6

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RW4C045BCTCL1

ROHM SemiconductorRW4C045BC là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC, chuyển mạch, công tắc pin.

HEML1616L7

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RW4E045AJTCL1

ROHM SemiconductorRW4E045AJ là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC, chuyển mạch, công tắc pin.

HEML1616L7

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RW4E045ATTCL1

ROHM SemiconductorRW4E045AJ là MOSFET kênh P -30V cho bộ chuyển đổi DC/DC, chuyển mạch, công tắc pin.

HEML1616L7

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RW4E065GNTCL1

ROHM SemiconductorRW4E065GN là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch.

HEML1616L7

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RW4E075AJTCL1

ROHM SemiconductorRW4E075AJ là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC, chuyển mạch, công tắc pin.

HEML1616L7

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RX2G07BBGC7G

ROHM SemiconductorRX2G07BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TO-220FM (C7G)

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RX2G10BBGC7G

ROHM SemiconductorRX2G10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TO-220FM (C7G)

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá