RLD82NZJ1 (RLD82NZJ1-00A for Sample)

Thông số

Mã nhà sản xuất

RLD82NZJ1 (RLD82NZJ1-00A for Sample)

Hãng sản xuất

ROHM Semiconductor

Đóng gói

φ5.6mm CAN

RoHS

Đạt chuẩn RoHS

Tình trạng (Status)

Đang sản xuất (Active)

Mã gốc (Base Part No.)

RLD82NZJ1

Kiểu đóng gói (Packing)

Khay (Tray)

Số lượng mỗi đơn vị đóng gói

500

Chương trình cung cấp dài hạn

9 năm

Ứng dụng

Cảm biến chuyển động điều khiển cử chỉ, cảm biến độ sâu 3D

Bước sóng λ (Min.) [nm]

812

Bước sóng λ (Typ.) [nm]

822

Bước sóng λ (Max.) [nm]

832

Công suất quang Po (Max.) [mW]

220

Điện áp ngược LD (Max.) [V]

2

Điện áp ngược PinPD (Max.) [V]

20

Điều kiện công suất quang Po (Typ.) [mW]

200

Dòng ngưỡng Ith (Typ.) [mA]

50

Dòng ngưỡng Ith (Max.) [mA]

70

Dòng hoạt động Iop (Typ.) [mA]

255

Dòng hoạt động Iop (Max.) [mA]

350

Điện áp hoạt động Vop (Typ.) [V]

2.4

Điện áp hoạt động Vop (Max.) [V]

2.8

Hiệu suất đầu ra η (Min.) [W/A]

0.7

Hiệu suất đầu ra η (Typ.) [W/A]

0.95

Hiệu suất đầu ra η (Max.) [W/A]

1.5

Dòng giám sát Im (Min.) [mA]

0.1

Dòng giám sát Im (Typ.) [mA]

0.3

Dòng giám sát Im (Max.) [mA]

1

Độ phân kỳ chùm tia θ//(Min.) [deg]

7

Độ phân kỳ chùm tia θ//(Typ.) [deg]

9.5

Độ phân kỳ chùm tia θ//(Max.) [deg]

12

Độ phân kỳ chùm tia θ⊥(Min.) [deg]

13

Độ phân kỳ chùm tia θ⊥(Typ.) [deg]

17

Độ phân kỳ chùm tia θ⊥(Max.) [deg]

21

Dung sai chùm tia ⊿θ//(Min.) [deg]

-3

Dung sai chùm tia ⊿θ//(Typ.) [deg]

0

Dung sai chùm tia ⊿θ//(Max.) [deg]

3

Dung sai chùm tia ⊿θ⊥(Min.) [deg]

-4

Dung sai chùm tia ⊿θ⊥(Typ.) [deg]

0

Dung sai chùm tia ⊿θ⊥(Max.) [deg]

4

Độ chính xác điểm phát ⊿XYZ (Min.) [µm]

-100

Độ chính xác điểm phát ⊿XYZ (Typ.) [µm]

0

Độ chính xác điểm phát ⊿XYZ (Max.) [µm]

100

Cực tính

N(LD Anode / PD Cathode)

Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]

-10

Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]

60

Kích thước vỏ [mm]

φ5.6