Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RGA80TSX2HRC11

IGBT Field Stop Trench chịu ngắn mạch 10µs, 1200V 69A, TO-247N, dùng cho ô tô

RGA80TSX2HR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

RGA80TSX2HRC11, TO-247N

Thông số

Mã nhà sản xuất
RGA80TSX2HRC11
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-247N
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RGA80TSX2HR
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
450
Số lượng đóng gói tối thiểu
30
Dòng
A: cho inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(100°C) [A]
69
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
Tf (Typ.) [ns]
161
Tsc (Min.) [us]
10
Pd [W]
468
BVCES (Min.) [V]
1200
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

RGA80TSX2HR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

Tính năng chính

  • Đạt chuẩn AEC-Q101
  • Thời gian chịu ngắn mạch 10μs
  • Điện áp bão hòa Collector - Emitter thấp
  • Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RGAX2TS65EHRC11

ROHM SemiconductorRGAX2TS65EHR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGAX2TS65HRC11

ROHM SemiconductorRGAX2TS65HR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGAX5TS65EHRC11

ROHM SemiconductorRGAX5TS65EHR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGAX5TS65HRC11

ROHM SemiconductorRGAX5TS65HR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGAY0TS65EHRC11

ROHM SemiconductorRGAY0TS65EHR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGAY0TS65HRC11

ROHM SemiconductorRGAY0TS65HR là IGBT có tổn hao chuyển mạch thấp và tổn hao dẫn thấp. Lý tưởng cho máy nén điện và bộ sưởi HV trong ứng dụng ô tô cũng như inverter trong ứng dụng công nghiệp

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGH00TRX2EFGC15

ROHM SemiconductorRGH00TRX2EF là IGBT có điện áp bão hòa collector - emitter thấp, phù hợp cho PV Inverter, UPS, PFC và hàn.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RGH00TRX2GC15

ROHM SemiconductorRGH00TRX2 là IGBT có điện áp bão hòa collector - emitter thấp, phù hợp cho PV Inverter, UPS, PFC và hàn.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá