RFUH10NS4SFHTL
Diode phục hồi nhanh (đạt chuẩn AEC-Q101)
Diode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFUH10NS4SFHTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263S
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFUH10NS4SFH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-263AB (D2PAK)
- Vỏ (JEITA)
- SC-83
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 430
- Điện áp ngược VR [V]
- 430
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 10
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 1.7
- IF @ điện áp thuận [A]
- 10
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.01
- VR @ dòng ngược [V]
- 430
- Trr (Max.) [ns]
- 25
- IF @ trr [mA]
- 500
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 13.1x10.1 (t=4.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
Diode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch.
Tính năng chính
- Loại power mold
- VF thấp và chuyển mạch tốc độ cao.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFUH10NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH10NS6SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH10NS6STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH20NS3SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH20NS3STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH20NS4SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH20NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFUH20NS6SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |