RFN3LB6STBR1
Diode phục hồi siêu nhanh 600V 3A 16ns, DO-214AA(SMB)
RFN3LB6S là diode phục hồi siêu nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFN3LB6STBR1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SMBP
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFN3LB6S
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- DO-214AA (SMB)
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 600
- Điện áp ngược VR [V]
- 600
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 3
- IFSM [A]
- 35
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 1.75
- IF @ điện áp thuận [A]
- 3
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.001
- VR @ dòng ngược [V]
- 600
- Trr (Max.) [ns]
- 35
- IF @ trr [mA]
- 500
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 5.34x3.62 (t=2.45)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 600 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 3A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Through Hole |
Thông tin chi tiết
RFN3LB6S là diode phục hồi siêu nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường.
Tính năng chính
- Loại power mold nhỏ
- Điện áp thuận thấp
- Tổn hao chuyển mạch thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFN4RSM2STFTL1 ROHM SemiconductorRFN4RSM2STF là diode phục hồi cực nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN4RSM2STL1 ROHM SemiconductorRFN4RSM2S là diode phục hồi cực nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BGE2STL ROHM SemiconductorRFN5BGE2S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BGE3STL ROHM SemiconductorRFN5BGE3S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BGE6STL ROHM SemiconductorRFN5BGE6S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BM2SFHTL ROHM SemiconductorRFN5BM2SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BM3SFHTL ROHM SemiconductorRFN5BM3SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN5BM6SFHTL ROHM SemiconductorRFN5BM6SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
