RFN1VWM2STR
Diode phục hồi cực nhanh 200V 1A 14ns, PMDE
RFN1VWM2S là diode có trr xuất sắc, rất quan trọng cho hoạt động ở tần số cao, đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM thông thường trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu quả tản nhiệt tuyệt vời.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFN1VWM2STR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- PMDE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFN1VWM2S
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- PMDE
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 200
- Điện áp ngược VR [V]
- 200
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 1
- IFSM [A]
- 20
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.93
- IF @ điện áp thuận [A]
- 1
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.001
- VR @ dòng ngược [V]
- 200
- Trr (Max.) [ns]
- 25
- IF @ trr [mA]
- 0.5
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.5x1.3 (t=1.0)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 200 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 1A |
Thông tin chi tiết
RFN1VWM2S là diode có trr xuất sắc, rất quan trọng cho hoạt động ở tần số cao, đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM thông thường trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu quả tản nhiệt tuyệt vời.
Tính năng chính
- Tổn hao chuyển mạch thấp
- Điện áp thuận thấp
- Khả năng chịu quá tải dòng điện cao
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFN20NS3SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN20NS3STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN20NS4SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN20NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN20NS6SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN20NS6STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN2L4SDDTE25 ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. PMDS Datasheet (PDF) | PMDS | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN2L4STE25 ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. PMDS Datasheet (PDF) | PMDS | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
