RB088NS150TL
Diode Schottky IR rất thấp, 150V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Diode Schottky của ROHM có VF thấp, IR thấp và khả năng chống ESD cao, phù hợp cho điện thoại và nhiều thiết bị điện tử di động.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RB088NS150TL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263S
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RB088NS150
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấu hình
- C-Common
- Mã vỏ
- TO-263AB (D2PAK)
- Vỏ (JEITA)
- SC-83
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 150
- Điện áp ngược VR [V]
- 150
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 10
- IFSM [A]
- 50
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.88
- IF @ điện áp thuận [A]
- 5
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.015
- VR @ dòng ngược [V]
- 150
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 13.1x10.1 (t=4.7)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 150 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 10A |
Thông tin chi tiết
Diode Schottky của ROHM có VF thấp, IR thấp và khả năng chống ESD cao, phù hợp cho điện thoại và nhiều thiết bị điện tử di động.
Tính năng chính
- Loại kép catốt chung
- IR thấp
- Độ tin cậy cao
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RB088NS200FHTL ROHM SemiconductorRB088NS200FH là SBD IR cực thấp 200V được tối ưu cho các ứng dụng ô tô, bao gồm hệ truyền động và xEV. IC có đặc tính dòng rò (IR) cực thấp để đạt điện áp chịu đựng cao 200V. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088NS200TL ROHM SemiconductorRB088NS200 là SBD IR cực thấp 200V được tối ưu cho các ứng dụng ô tô, bao gồm hệ truyền động và xEV. IC có đặc tính dòng rò (IR) cực thấp để đạt điện áp chịu đựng cao 200V. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM10STFTL1 ROHM SemiconductorRB088RSM10STF là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. Sản phẩm có độ tin cậy cao dùng cho ô tô. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM10STL1 ROHM SemiconductorRB088RSM10S là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM15STFTL1 ROHM SemiconductorRB088RSM15STF là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. Sản phẩm có độ tin cậy cao dùng cho ô tô. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM15STL1 ROHM SemiconductorRB088RSM15S là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM20STFTL1 ROHM SemiconductorRB088RSM20STF là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. Sản phẩm có độ tin cậy cao dùng cho ô tô. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RB088RSM20STL1 ROHM SemiconductorRB088RSM20S là diode Schottky IR cực thấp, phù hợp cho nguồn xung, diode xả (freewheel), bảo vệ đảo cực. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
