PCW1CAAL10GA102CP
Tụ điện silicon 1nF 16V, ESR thấp / ESL thấp, có điện cực trên và dưới
Đang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. PCW1CAAL10GA102CP là tụ điện silicon có thể bonding dây, được phát triển cho máy chủ AI và bộ thu phát quang tốc độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- PCW1CAAL10GA102CP
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang phát triển (Under Development)
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Grip ring
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 24000
- Giá trị điện dung [pF]
- 1000
- Điện áp định mức ［V］
- 16
- Kích thước [mm] (inch)
- 0.25x0.25 (0.01x0.01)
- Chiều cao [μm]
- 100
- Phương thức lắp
- Nối dây dọc
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 150
Thông tin chi tiết
PCW1CAAL10GA102CP là tụ điện silicon có thể bonding dây, được phát triển cho máy chủ AI và bộ thu phát quang tốc độ cao. Kết hợp điện dung 1 nF với cấu trúc siêu nhỏ gọn 0.25 mm × 0.25 mm, mỏng, tụ cho đặc tính điện dung ổn định khi nhiệt độ và điện áp DC bias thay đổi. Đặc tính ESR thấp và ESL thấp giúp duy trì trở kháng thấp ở dải tần số cao, hỗ trợ giảm nhiễu nguồn trong các ứng dụng tách nhiễu (decoupling). Việc đặt gần IC thông qua kết nối bonding dây giúp giảm điện cảm ký sinh do đi dây, giúp linh kiện phù hợp với các thiết kế mật độ cao. PCW1CAAL10GA102CP góp phần vào hiệu năng và hoạt động ổn định của các module truyền thông quang 800 Gbps, 1.6 Tbps và các hệ thống tốc độ cao hơn trong tương lai, cũng như các bộ thu phát quang dùng trong ứng dụng máy chủ AI.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao / nhiệt độ hoạt động cao
- Mỏng (100um)
- Độ ổn định cao theo nhiệt độ và điện áp DC bias
- Điện áp đánh thủng: 30V
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.