49.406 mã linh kiện trong 10 nhóm
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD5223G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5223G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5223G-2MTR ROHM SemiconductorBD5223G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5224G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5224G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5224G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5224G-2MTR ROHM SemiconductorBD5224G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5225G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5225G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5225G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5225G-2MTR ROHM SemiconductorBD5225G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5226G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5226G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5226G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5226G-2MTR ROHM SemiconductorBD5226G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5226NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5227G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5227G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5227G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5227G-2MTR ROHM SemiconductorBD5227G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5227NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5228G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5228G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5228G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5228G-2MTR ROHM SemiconductorBD5228G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5228NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5229G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5229G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5229G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5229G-2MTR ROHM SemiconductorBD5229G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5229NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5230G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
