Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

KTR18EZPJ

Điện trở chip chịu điện áp cao kích thước 3216(1206) (đạt chuẩn AEC-Q200)

Điện trở chip điện áp cao có cấu trúc điện trở đặc biệt, đạt khả năng chịu xung gấp hơn hai lần điện trở tiêu chuẩn.

KTR18EZPJ, KTR18

Thông số

Mã nhà sản xuất
KTR18EZPJ
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
KTR18
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
5000
Chương trình cung cấp dài hạn
10 năm
Cấp ô tô
Có
Kích thước [mm] (inch)
3216(1206)
Công suất định mức [W]
0.25
Dung sai điện trở
J (±5%)
Dải điện trở [Ω]
1 to 30M
Điện trở (Min.) [Ω]
1
Điện trở (Max.) [Ω]
30000000
Hệ số nhiệt độ [ppm/°C]
±200
Nhiệt độ hoạt động [°C]
-55 to 155
Loại
Điện áp cao
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
155
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q200 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Điện trở dán
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Vật liệu (Composition)Thick Film
Vỏ (Package / Case)1206 (3216 Metric)
Vỏ theo hãng (Supplier Device Package)1206

Thông tin chi tiết

Điện trở chip điện áp cao có cấu trúc điện trở đặc biệt, đạt khả năng chịu xung gấp hơn hai lần điện trở tiêu chuẩn. Một chiếc có thể thay thế nhiều điện trở tiêu chuẩn trong các mạch điện áp cao và tiết kiệm diện tích, lý tưởng cho việc thu nhỏ thiết bị di động.

Tính năng chính

  • Điện áp danh định gấp đôi sản phẩm thông thường.
  • Hoàn hảo để sử dụng trong mạch điện áp cao.
  • Điện trở ROHM đã đạt chứng nhận ISO9001 / IATF16949.
  • Tương thích AEC-Q200.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
KTR18EZPJ470

ROHM SemiconductorRES SMD 1206 47R 5% 1/4W 200PPM TKFILM AU-HV

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trước
1+
3.975 ₫
10+
3.631 ₫
100+
1.394 ₫
+2 mức giá

KTR25JZPD

ROHM SemiconductorĐiện trở chip điện áp cao có cấu trúc điện trở đặc biệt, đạt khả năng chịu xung gấp hơn hai lần điện trở tiêu chuẩn.

KTR25

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

KTR25JZPF

ROHM SemiconductorĐiện trở chip điện áp cao có cấu trúc điện trở đặc biệt, đạt khả năng chịu xung gấp hơn hai lần điện trở tiêu chuẩn.

KTR25

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

KTR25JZPJ

ROHM SemiconductorĐiện trở chip điện áp cao có cấu trúc điện trở đặc biệt, đạt khả năng chịu xung gấp hơn hai lần điện trở tiêu chuẩn.

KTR25

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LTR100JZPD

ROHM SemiconductorĐiện trở chip công suất cao có các đầu cực nằm ở hai cạnh dài của hình chữ nhật, cho công suất danh định cao hơn hẳn điện trở tiêu chuẩn. Cấu trúc có khoảng cách ngắn giữa hai đầu cực này giúp mối hàn bám chắc.

LTR100

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LTR100JZPF

ROHM SemiconductorĐiện trở chip công suất cao có các đầu cực nằm ở hai cạnh dài của hình chữ nhật, cho công suất danh định cao hơn hẳn điện trở tiêu chuẩn. Cấu trúc có khoảng cách ngắn giữa hai đầu cực này giúp mối hàn bám chắc.

LTR100

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LTR100JZPFL

ROHM SemiconductorĐiện trở chip công suất cao có các đầu cực nằm ở hai cạnh dài của hình chữ nhật, cho công suất danh định cao hơn hẳn điện trở tiêu chuẩn. Cấu trúc có khoảng cách ngắn giữa hai đầu cực này giúp mối hàn bám chắc.

LTR100

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LTR100JZPJ

ROHM SemiconductorĐiện trở chip công suất cao có các đầu cực nằm ở hai cạnh dài của hình chữ nhật, cho công suất danh định cao hơn hẳn điện trở tiêu chuẩn. Cấu trúc có khoảng cách ngắn giữa hai đầu cực này giúp mối hàn bám chắc.

LTR100

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá