Transistor lưỡng cực BJT (Transistors - Bipolar, BJT - Single)
3.399 mã linh kiện
3.399 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Loại transistor | Dòng collector tối đa (Ic) | Điện áp C-E tối đa (Vceo) | Công suất tối đa | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N2221AUA/TR Microchip50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 50 V,Công suất tối đa: 650 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 50 V | 650 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2221AUB/TR Microchip50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 50 V,Công suất tối đa: 650 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 50 V | 650 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2222A Microchip40V 800mA 500mW Small-Signal BJT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2222AL Microchip40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2222AP Microchip40V 800mA 500mW PinD Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2222AUA Microchip40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2222AUA/TR Microchip40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW,Kiểu lắp: Surface Mount, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2222AUB Microchip40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2222AUB/TR MicrochipSmall-Signal BJT _ UB | Đặt hàng trước |
| — | — | — | — | — | — | — | ||
| JANTXV2N2222AUBP Microchip40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2222AUBP/TR Microchip40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT TR Dòng collector tối đa (Ic): 800mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 500 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 800mA | 40 V | 500 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2369A Microchip15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 15 V,Công suất tối đa: 680 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 200mA | 15 V | 680 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2369AUA Microchip15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 15 V,Công suất tối đa: 680 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 200mA | 15 V | 680 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2369AUA/TR Microchip15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT TR Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 200mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 15 V,Công suất tối đa: 680 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 200mA | 15 V | 680 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2369AUB Microchip20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT Dòng collector tối đa (Ic): 200mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 20 V,Công suất tối đa: 680 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 200mA | 20 V | 680 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2369AUB/TR Microchip20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR Dòng collector tối đa (Ic): 200mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 20 V,Công suất tối đa: 680 mW, | Đặt hàng trước |
| — | 200mA | 20 V | 680 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2484 Microchip60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2484P Microchip60V 50mA 360mW PinD Test NPN Small-Signal BJT THT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2484UA Microchip60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2484UA/TR Microchip60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT TR Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | Surface Mount | ||
| JANTXV2N2484UB Microchip60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2484UB/TR Microchip60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 50mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 60 V,Công suất tối đa: 360 mW, | Đặt hàng trước |
| NPN | 50mA | 60 V | 360 mW | — | — | — | ||
| JANTXV2N2605 Microchip70V 30mA 400mW Small-Signal BJT THT Dòng collector tối đa (Ic): 30mAĐiện áp C-E tối đa (Vceo): 70 V,Công suất tối đa: 400 mW,Kiểu lắp: Through Hole, | Đặt hàng trước |
| — | 30mA | 70 V | 400 mW | — | — | Through Hole | ||
| JANTXV2N2880 Microchip80V 5A 2W NPN Power BJT Loại transistor: NPNDòng collector tối đa (Ic): 5A,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 80 V,Công suất tối đa: 2 W, | Đặt hàng trước |
| NPN | 5A | 80 V | 2 W | — | — | — | ||
| JANTXV2N2904 Microchip40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT Loại transistor: PNPDòng collector tối đa (Ic): 600mA,Điện áp C-E tối đa (Vceo): 40 V,Công suất tối đa: 600 mW, | Đặt hàng trước |
| PNP | 600mA | 40 V | 600 mW | — | — | Through Hole |