Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

DAN235ETL

Diode chuyển băng tần

Diode chuyển băng tần

DAN235ETL, EMD3

Thông số

Mã nhà sản xuất
DAN235ETL
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
EMD3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
DAN235E
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấu hình
C-Common
Mã vỏ
SOT-416
Vỏ (JEITA)
SC-75A
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
3
Điện áp ngược VR [V]
35
Tj [℃]
125
Ct [pF]
1.2
VR @ Ct [V]
6
F @ Ct [MHz]
1
RF [Ω]
0.9
IF @ rF [mA]
2
F @ rF [MHz]
100
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
125
Kích thước vỏ [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

Diode chuyển băng tần

Tính năng chính

  • Loại mold siêu nhỏ.
  • Độ tin cậy cao
  • Cấu trúc: loại epitaxial planar silicon.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
DAN235FMFHT106

ROHM SemiconductorDAN235FMFH là diode chuyển băng tần phù hợp cho đóng cắt tần số cao. Đây là sản phẩm độ tin cậy cao cấp ô tô, đạt chuẩn AEC-Q101.

UMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

DAN235FMT106

ROHM SemiconductorDAN235FM là diode chuyển băng tần phù hợp cho đóng cắt tần số cao.

UMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

DAN235UT106

ROHM SemiconductorDiode chuyển băng tần

UMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

DAP236UT106

ROHM SemiconductorDiode chuyển băng tần

UMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RB876WFHTL

ROHM SemiconductorRB876WFH là diode Schottky tách sóng có hiệu suất tách sóng cao và điện dung thấp (Ct=0.8pF), phù hợp cho tách sóng tần số cao. Sản phẩm đạt chuẩn AEC-Q101.

EMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RB876WTL

ROHM SemiconductorDiode Schottky tách sóng của ROHM có dòng sản phẩm điện dung thấp, phù hợp cho mạch tách sóng ở băng tần cao đến 2GHz.

EMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RB886ASAFHT2RB

ROHM SemiconductorRB886ASAFH là diode Schottky tách sóng có hiệu suất tách sóng cao và điện dung thấp (Ct=0.8pF), phù hợp cho tách sóng tần số cao. Sản phẩm đạt chuẩn AEC-Q101.

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RB886CMT2R

ROHM SemiconductorDA228WMFH là diode Schottky tách sóng trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho tách sóng tần số cao.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá