Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BM60059FV-CE2

Gate driver 2500ch cách ly điện (galvanic isolation), điện áp cách ly 1 Vrms

BM60059FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500Vrms. Có thời gian trễ I/O 450ns, độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 400ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP),…

BM60059FV-CE2, SSOP-B28W

Thông số

Mã nhà sản xuất
BM60059FV-CE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP-B28W
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BM60059FV-C
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
1500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
2A
Điện áp cách ly [Vrms]
2500
Kênh
1
Vcc1 (Min.) [V]
4.5
Vcc1 (Max.) [V]
24
Vcc2 (Min.) [V]
14
Vcc2 (Max.) [V]
24
Iout (Max.) [A]
10
Thời gian trễ I/O (Max.) [ns]
450
Độ rộng xung đầu vào tối thiểu [ns]
400
Bộ điều khiển chuyển mạch
Có
Giám sát nhiệt độ
Có
Kích thước vỏ [mm]
9.2x10.4 (t=2.4)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q100 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BM60059FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500Vrms. Có thời gian trễ I/O 450ns, độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 400ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP), active miller clamping, giám sát nhiệt độ, bộ điều khiển chuyển mạch, điều khiển cổng bằng dòng điện không đổi và phản hồi trạng thái ngõ ra.

Tính năng chính

  • Đạt chuẩn AEC-Q100 (Grade 1)
  • Chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi
  • Chức năng khóa điện áp thấp
  • Chức năng bảo vệ ngắn mạch
  • Chức năng tắt nhanh cho bảo vệ ngắn mạch
  • Chức năng tắt mềm cho bảo vệ ngắn mạch (thời gian tắt điều chỉnh được)
  • Active Miller Clamping
  • Giám sát nhiệt độ
  • Bộ điều khiển chuyển mạch
  • Chức năng điều khiển cổng bằng dòng điện không đổi
  • Chức năng phản hồi trạng thái ngõ ra

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BM60060FV-CE2

ROHM SemiconductorBM60060FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500 Vrms. Có thời gian trễ I/O 210 ns, độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 90 ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP, có…

SSOP-B28W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6102FV-CE2

ROHM SemiconductorBM6102FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500Vrms, thời gian trễ I/O 200ns và độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 100ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ nhiệt và bảo vệ dòng…

SSOP-B20W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6109FV-CE2

ROHM SemiconductorBM6109FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500 Vrms. Có thời gian trễ I/O 700 ns, độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 600 ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP),…

SSOP-B28W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6112AFV-CE2

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. BM6112AFV-C là gate driver có điện áp cách ly 3750 Vrms, thời gian trễ I/O 150 ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, ngõ ra tín hiệu sẵn sàng, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP), active miller…

SSOP-B28W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6112HFV-CE2

ROHM SemiconductorBM6112HFV-C là gate driver có điện áp cách ly 3750Vrms, thời gian trễ I/O 150ns, tích hợp các chức năng ngõ ra tín hiệu lỗi, ngõ ra tín hiệu sẵn sàng, khóa điện áp thấp (UVLO), bảo vệ ngắn mạch (SCP), active miller…

SSOP-B28WR6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM61M22BFJ-CE2

ROHM SemiconductorBM61M22BFJ-C là gate driver cách ly điện (galvanic isolation) với điện áp cách ly 2500Vrms, thời gian trễ I/O tối đa 60ns và độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 60ns. Tích hợp chức năng khóa điện áp thấp (UVLO).

SOP-JW8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM60052AFV-CE2

ROHM SemiconductorBM60052AFV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500Vrms, thời gian trễ I/O 120ns và độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 90ns.

SSOP-B28W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM60055FV-CE2

ROHM SemiconductorBM60055FV-C là gate driver có điện áp cách ly 2500Vrms, thời gian trễ I/O 250ns và độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 170ns.

SSOP-B28W

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá