BD99950MUV-E2

BD99950MUV là bộ điều khiển sạc pin và bộ ổn áp điện áp hệ thống Narrow VDC đồng bộ hiệu suất cao. IC có hai charge pump điều khiển riêng các N-channel MOSFET để tự động chọn nguồn cấp hệ thống. Điện áp sạc, dòng sạc, dòng adapter AC và điện áp hệ thống tối thiểu có thể lập trình qua SMBus. Với cuộn cảm nhỏ, tần số chuyển mạch PWM cũng có thể lập trình qua SMBus lên đến 1.2MHz.

Tính năng chính

• N-channel MOSFET dùng để chọn pin hoặc
• adapter thông qua charge pump bên trong
• Đáp ứng quá độ DPM nhanh ở chế độ Turbo (sạc nhỏ giọt chế độ Linear qua charge pump BGATE)
• Dòng hoạt động thấp của charge pump BGATE ở 17µA (typical)
• Tụ điện ngõ ra MLCC
• Hiệu suất tải nhẹ cao cho Energy Star và ErP Lot6
• Đáp ứng quá độ dòng tải nhanh trong điều kiện
• không có pin hoặc pin cạn kiệt
• Bộ điều khiển hạ áp đồng bộ NMOS-NMOS
• Tần số chuyển mạch lập trình được 600kHz-1.2MHz
• Điện áp sạc lập trình được (độ phân giải 16mV),
• Dòng sạc (độ phân giải 64mA),
• Dòng đầu vào (độ phân giải 64mA),
• Điện áp hệ thống tối thiểu (độ phân giải 64mV)
• Độ chính xác điện áp sạc ±0.5%
• Độ chính xác dòng sạc ±3%
• Độ chính xác dòng đầu vào ±3%
• Độ chính xác điện áp hệ thống tối thiểu ±0.5%
• Độ chính xác ngõ ra bộ khuếch đại dòng đầu vào 20x ±2%
• Bù vòng điều khiển tích hợp
• Chức năng học pin (Battery Learn)
• Dải hoạt động adapter AC: 6.0V đến 24.0V
• Dòng xả pin ở trạng thái tắt 15µA
• Đóng gói QFN 20 chân 3.5mm×3.5mm

Tài liệu

• Datasheet (tiếng Anh)

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.