BD5230NVX-2CTL
Nano Energy™, IC phát hiện điện áp 3.0V có thời gian trễ điều chỉnh được, dùng cho ô tô
Dòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BD5230NVX-2CTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SSON004R1010
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BD5230NVX-2C
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 5000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Điện áp phát hiện thấp áp [V] (typ.)
- 3
- VDET độ chính xác [%]
- ±2.5
- Dải điện áp kích hoạt reset [V]
- 0.8 to 6
- Các loại đầu ra
- Open drain
- Bộ định thời trễ reset
- Trễ điều chỉnh được
- Trạng thái kích hoạt reset
- Thấp
- Reset thủ công
- Không
- Loại cửa sổ
- Không
- Bộ định thời watchdog
- Không
- Ô tô
- Có
- Dòng mạch (ON) [µA]
- 0.23
- Dòng mạch (OFF) [µA]
- 0.27
- Điện áp trễ [V]
- VDET x 0.05
- Dòng đầu ra mức L (LowVol) [mA]
- 1
- Dòng đầu ra mức L (HighVol) [mA]
- 2
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 125
- Vỏ
- SSON004R1010
- Mã tham chiếu
- SSON004R1010-4
- Kích thước vỏ
- 1.0x1.0 (t=0.6)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q100 (cấp ô tô)
Thông tin chi tiết
Dòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. Dòng sản phẩm có ngõ ra N-channel open drain. Thiết bị có các điện áp phát hiện riêng 1.4V, 1.6V, trong khoảng từ 2.6 V đến 3.1 V với bước 0.1 V. Thời gian trễ có độ chính xác ±50% trong toàn dải nhiệt độ hoạt động từ -40℃ đến 125℃.
Tính năng chính
- Đạt chuẩn AEC-Q100 (Grade 1)
- Nano Energy™
- Cài đặt thời gian trễ bằng tụ ngoài
- Loại ngõ ra Nch Open Drain
- Vỏ bề mặt thu nhỏ
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD5231G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5231G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5231G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5231G-2MTR ROHM SemiconductorBD5231G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5231NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5232G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5232G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5232G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5232G-2MTR ROHM SemiconductorBD5232G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5233G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
