2SCR582D3TL1
NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Transistor công suất
2SCR582D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR582D3TL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-252 (TL1)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR582D3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- TO-252 (DPAK)
- Vỏ JEITA
- SC-63
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 10
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 30
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 10
- HFE
- 200 to 500
- HFE (Min.)
- 200
- HFE (Max.)
- 500
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 9.9x6.6 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 10A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 30 V |
Thông tin chi tiết
2SCR582D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp.
Tính năng chính
- Phù hợp cho driver công suất.
- Loại PNP bổ trợ (complementary): 2SAR582D3
- VCE(sat) thấp: VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=4A/200mA)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR583D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR583D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR583D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR583D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR586D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR586D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR586D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR586D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR587D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR587D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR587D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR587D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR642PHZGT100 ROHM Semiconductor2SCR642PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp, chuyển mạch tốc độ cao và mạch điều khiển cổng (gate drive). Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCRC41CHZGT116 ROHM Semiconductor2SCRC41CHZG là transistor dùng cho bộ khuếch đại cao áp. Transistor bổ trợ (complementary) là 2SARA41C HZG SST3 Datasheet (PDF) | SST3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
